国家知识产权局信息显示，武汉敏声新技术有限公司申请一项名为“压电叠层结构及其制备方法”的专利，公开号CN121442947A，申请日期为2025年11月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种压电叠层结构及其制备方法，涉及半导体加工技术领域。该压电叠层结构的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底的表面溅射压电材料，以得到第一极性压电层；在第一极性压电层的表面溅射混有氧流体的压电材料，以得到含氧反转层；在含氧反转层的表面单独溅射压电材料，以得到第二极性压电层，其中，相邻的第一极性压电层与第二极性压电层的极性不同，相邻的两个第二极性压电层的极性不同。该压电叠层结构的制备方法在相邻的两层压电层之间引入了含氧反转层，含氧反转层以引入氧元素的方式控制下一压电层的极性，避免了电极材料或者介质材料介入引发的寄生效应，产品良率高且制造成本低。

　　天眼查资料显示，武汉敏声新技术有限公司，成立于2019年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2411.5347万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏声新技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线条，此外企业还拥有行政许可2个。

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